Pat
J-GLOBAL ID：200903019671334939
電界効果トランジスタおよびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992176873
Publication number (International publication number)：1993211330
Application date： Jul. 03, 1992
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ホットキャリアに対して強く、かつ低ゲート電圧で使用しても電流駆動力が大きい電界効果トランジスタを提供することである。【構成】 窒化酸化膜5はドレインアバランシェホットキャリア注入領域4上に形成されている。窒化酸化膜5はシリコン酸化膜9に比べてドレインアバランシェホットキャリアに強い。シリコン酸化膜9はチャネルホットエレクトロン注入領域8上に形成されている。シリコン酸化膜9は窒化酸化膜5に比べてチャネルホットエレクトロンに強い。シリコン酸化膜9は窒化酸化膜5に比べて低ゲート電圧時における電流駆動力が大きくなる。
Claim (excerpt)：
キャリアの流れをゲート電極に加える電圧によって制御する電界効果トランジスタであって、主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板中に間を隔てて形成されたソース領域およびドレイン領域と、前記主表面上に形成された窒化酸化膜と、前記主表面上に形成され、窒素濃度が前記窒化酸化膜中の窒素濃度より低くまたは0である酸化膜と、を備え、前記酸化膜上に前記ゲート電極が形成されている電界効果トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/784
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 L
