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J-GLOBAL ID：200903019677007107

誘電体薄膜およびその製造方法

Inventor： 竹島 裕 ,  安藤 陽 ,  中村 孝則 ,  伴野 国三郎
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994069401
Publication number (International publication number)：1995283069
Application date： Apr. 07, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】Pb(Mg1-x Nbx )O3 系等の少なくともPb、MgおよびNbの酸化物を含みペロブスカイト構造を有する、高誘電率の誘電体薄膜およびその製造方法を提供する。【構成】誘電体薄膜は、Pb(Mg1-x Nbx )O3 系等の少なくともPb、MgおよびNbの酸化物を含み、その結晶がペロブスカイト構造を有するCVD膜からなる。また、その製造方法は、少なくともPb、MgおよびNbの有機化合物をCVD法により減圧下で反応させてCVD膜を形成する。そして、具体的には、Pb(DPM)2 、Pb(DPM)2 (phen)2 およびPb(C5H7O2 )2 のうちのいずれか1つ、Mg(C5 H7 O2 )2 およびNb(OC2H5 )5 を原料として、Pb(Mg1-x Nbx )O3 のCVD膜を得る。

Claim (excerpt)：

少なくともPb、MgおよびNbの酸化物を含み、その結晶がペロブスカイト構造を有するCVD膜からなる誘電体薄膜。

IPC (3)：

H01G 4/12 358 ,  C23C 16/40 ,  H01B 3/00