Pat

J-GLOBAL ID：200903019679784070

薄膜のエッチング方法

Inventor： 三村 秋男 ,  鈴木 隆 ,  和久井 陽行 ,  高畠 勝 ,  小西 信武 ,  折付 良二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992284166
Publication number (International publication number)：1994132262
Application date： Oct. 22, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】加工し難い薄膜のドライエッチングにおいて、加工速度,選択性をあげること。【構成】加工工程を、変質処理,エッチングの二つの工程に分けて行う。【効果】加工し難い薄膜を加工速度,選択性をあげてエッチングできる。

Claim (excerpt)：

薄膜を変質させる工程,変質した薄膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とする薄膜のエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/306