Pat

J-GLOBAL ID：200903019680824310

半導体ウエハーのチップ分割方法

Inventor： 上村 俊也 ,  下野 信治 ,  橋村 昌樹
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 松原 等
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000099894
Publication number (International publication number)：2001284292
Application date： Mar. 31, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 大きい押圧力を要することなく容易に分割できるようにするとともに、分割用溝を起点にして分割できる確率を高めて歩留まりを上げる。【解決手段】 半導体ウエハー1の半導体層形成側の表面に減厚用溝5を形成するとともに分割用溝としてのスクライブライン6を形成する。スクライブライン6に沿った溝下部分8のみにレーザービーム21を照射して加熱した後、直ちに半導体ウエハー1全体に液体窒素22を接触させて熱衝撃を与える。この熱衝撃によりスクライブライン6の底を起点にして亀裂が発生し進展する。

Claim (excerpt)：

基板上に半導体層が形成されてなる半導体ウエハーを多数の半導体チップに分割する方法であって、前記半導体ウエハーの表面に分割用溝を形成する工程と、該半導体ウエハーに熱衝撃を与えることにより分割用溝を起点にして半導体ウエハーの略厚さ方向に亀裂を発生及び進展させる工程と含む半導体ウエハーのチップ分割方法。

IPC (3)：

H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  B23K101:40

FI (5)：

B23K 26/00 H ,  B23K101:40 ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 A ,  H01L 21/78 B

F-Term (2)：

4E068AD01 ,  4E068DA10