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J-GLOBAL ID：200903019691301093

電子放出装置の製造方法、冷陰極電界電子放出素子の製造方法、並びに、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法

Inventor： 井上 浩司 ,  室山 雅和
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001191424
Publication number (International publication number)：2003007200
Application date： Jun. 25, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】比較的低温においても炭素から成る電子放出体を形成することができる冷陰極電界電子放出素子の製造方法を提供する。【解決手段】冷陰極電界電子放出素子の製造方法は、支持体10上に設けられたカソード電極11と、電子放出部を形成すべきカソード電極11の部分に形成された電子放出体選択成長領域21と、電子放出体選択成長領域21上に形成された複数の電子放出体22から成る電子放出部15から構成され、電子放出体22は、炭素から成り、チューブ形状を有し、支持体10にバイアス電圧を印加した状態で、プラズマ密度が1×1012/cm3以上の条件のプラズマCVD法にて電子放出体22を電子放出体選択成長領域21上に形成する。

Claim (excerpt)：

(A)支持体上に形成された導電体層と、(B)該導電体層上に形成された電子放出体選択成長領域と、(C)電子放出体選択成長領域上に形成された複数の電子放出体から成る電子放出部、から構成され、該電子放出体は、炭素から成り、チューブ形状を有する電子放出装置の製造方法であって、支持体にバイアス電圧を印加した状態で、プラズマ密度が1×1012/cm3以上の条件のプラズマCVD法にて電子放出体選択成長領域上に電子放出体を形成することを特徴とする電子放出装置の製造方法。