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J-GLOBAL ID：200903019696698714
半導体装置のシリコン酸化膜の製造法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992149812
Publication number (International publication number)：1993299412
Application date： Apr. 23, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 現在行われているCVD法によるSiO2膜の製法はアルコキシシランが縮重合して基板に付着するまでの反応と付着してからの反応とを区分せずに、継続的にSiO2の薄膜を基板上に形成している。このため基板上に付着時には流動性の乏しい縮重合物となり、それが最終的にSiO2膜となるため段差被覆性、平坦化性が必ずしも十分ではない欠点がある。本発明はこの欠点を除去しようとするものである。【構成】 アルコキシシランを原料として基板上に二酸化ケイ素膜を製造する反応室内において、アルコキシシラン1モル当り1.2モル以下のオゾンあるいはN2Oあるいは水蒸気によって液体状のアルコキシシラン縮重合物が基板表面に生成したのち、アルコキシシランの供給を断った状態でオゾンあるいはN2Oを流す時間を設けることによりアルコキシシラン縮重合物をSiO2膜にする方法である。本発明になるシリコン酸化膜は、この製造法を基板上に繰り返し堆積し積層膜にすることが好ましい。
Claim (excerpt)：
アルコキシシランを原料として基板上に二酸化ケイ素膜を製造する反応室内において、アルコキシシラン1モル当リ1.2モル以下のオゾンあるいN2Oあるいは水蒸気によって液体状のアルコキシシラン縮重合物が基板表面に生成したのち、アルコキシシランの供給を断った状態でオゾンあるいはN2Oを流す時間を設けることを特徴とする半導体装置のシリコン酸化膜の製造法。
IPC (4)：
H01L 21/316
, C23C 14/10
, C30B 25/14
, H01L 21/205
