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J-GLOBAL ID：200903019711930530

半導体への不純物ドーピング方法及び半導体装置製造方法

Inventor： 小林 一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999135562
Publication number (International publication number)：2000331950
Application date： May. 17, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 結晶性を損わず、深さ方向の濃度分布を自由に制御でき、室温でドーピングできる半導体への不純物ドーピング方法および半導体装置製造方法を提供する。【解決手段】 半導体に陽子線を照射することにより、半導体の構成元素のうち所定の同位体を原子核反応によってアクセプタ不純物またはドナー不純物に変換する。

Claim (excerpt)：

半導体に陽子線を照射することにより、半導体の構成元素のうち所定の同位体を原子核反応によってアクセプタ不純物またはドナー不純物に変換することを特徴とする半導体への不純物ドーピング方法。