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J-GLOBAL ID：200903019713034809

歪みゲージとその製造方法

Inventor： 内山 秀紀
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993231118
Publication number (International publication number)：1995086619
Application date： Sep. 17, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】薄膜化及び小型化を可能とし、被測定体の表裏若しくは平面ではない形状の被測定体にも接着可能な歪みゲージとその製造方法を提供する。【構成】本発明の歪みゲージは、可撓性のある絶縁膜1と、この絶縁膜1を電気化学エッチングの際に保護する保護膜2と、半導体単結晶からなる半導体抵抗体3と、上記半導体抵抗体3に電気化学エッチングの際に電圧を印加すると共に、該半導体抵抗体3より出力信号を取り出す電極4とからなる。

Claim (excerpt)：

可撓性のある絶縁膜と、上記絶縁膜を電気化学エッチングの際に保護する保護膜と、半導体単結晶からなる半導体抵抗体と、上記半導体抵抗体に電気化学エッチングの際に電圧を印加すると共に該半導体抵抗体より出力信号を取り出す電極とを具備することを特徴とする歪みゲージ。

IPC (3)：

H01L 29/84 ,  G01B 7/16 ,  H01L 21/3063

FI (2)：

G01B 7/18 H ,  H01L 21/306 L