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J-GLOBAL ID：200903019744088966
電界効果トランジスタおよびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993060091
Publication number (International publication number)：1994275824
Application date： Mar. 19, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：
【要約】【目的】 短チャネル効果を抑制できる上、ドレインと半導体基板との間の接合耐圧を高め、かつ、応答速度を改善できる電界効果トランジスタを提供する。また、その製造方法を提供する。【構成】 P型半導体基板(ウエル領域)1の表面に、N型ソース領域11s,13sと、N型ドレイン領域11d,13dと、ゲート電極6を有する。P型で半導体基板1よりも高濃度の不純物を有し、ソース領域11s,13s,ドレイン領域11d,13dと半導体基板1との境界に沿って、一対のチャネル拡散領域10,10を有する。チャネル拡散領域10は半導体基板1よりも高濃度のP型不純物を含む。チャネル拡散領域10のうちドレイン領域13dの直下の部分15に、N型不純物をドーピングして、活性不純物の濃度を低くしている。
Claim (excerpt)：
P型とN型のうち一方の導電型の半導体基板の表面に、P型とN型のうち他方の導電型を有し、互いに離間して設けられたソース領域,ドレイン領域と、上記ソース領域とドレイン領域との間のチャネル領域上に、チャネル方向の端部が上記ソース領域,ドレイン領域に重なった状態に設けられたゲート電極と、上記一方の導電型で上記半導体基板よりも高濃度の不純物を有し、上記ソース領域,ドレイン領域の両方またはドレイン領域のみと上記半導体基板との境界に沿って、それぞれ上記ソース領域,ドレイン領域の両方またはドレイン領域のみの直下から上記ゲート電極の直下の領域に延在するチャネル拡散領域とを備えて、上記高濃度のチャネル拡散領域によって短チャネル効果を抑制するようにした電界効果トランジスタにおいて、上記チャネル拡散領域のうち上記ドレイン領域の直下の部分は、上記他方の導電型の不純物がドーピングされて、上記チャネル拡散領域のうち上記ゲート電極の直下の部分よりも活性不純物の濃度が低くなっていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
Patent cited by the Patent：
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