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J-GLOBAL ID:200903019745446971

ナノファイバーおよびナノファイバーの作製方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 塩野谷 英城
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001009587
Publication number (International publication number):2002220300
Application date: Jan. 18, 2001
Publication date: Aug. 09, 2002
Summary:
【要約】【課題】 VLS反応を用いたCVD法ではウール状になってしまい実現が困難であった、成長方向の揃った複数のナノワイヤーから構成されるナノファイバーの作製方法を提供する。【解決手段】 自己組織化を用いたナノファイバーの作製方法であって、基板1の表面に、基板1と同じ元素から構成される微結晶粒子2を載置する工程と、真空下で、基板1の表面が融解する温度にまで基板1を加熱する工程と、を有し、基板1の表面は、結晶面であり、加熱工程では、微結晶粒子2を載置した結晶面に表面偏析を生じさせることにより、基板1から供給された元素により複数のナノワイヤー5を成長させ、茎状構造を有するナノファイバー4を形成させる。
Claim (excerpt):
自己組織化を用いたナノファイバーの作製方法であって、基板表面に、基板と同じ元素から構成される微結晶粒子を載置する工程と、真空下で、基板の表面が融解する温度にまで前記基板を加熱する工程と、を有し、前記基板表面は、結晶面であり、前記加熱工程では、前記微結晶粒子を載置した前記結晶面に表面偏析を生じさせることにより、基板から供給された元素により複数のナノワイヤーを成長させ、茎状構造を有するナノファイバーを形成させることを特徴とする自己組織化を用いたナノファイバーの作製方法。
IPC (2):
C30B 29/62 ,  B82B 1/00
FI (2):
C30B 29/62 U ,  B82B 1/00
F-Term (5):
4G077AA04 ,  4G077BA04 ,  4G077CC06 ,  4G077EE02 ,  4G077EE06

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