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J-GLOBAL ID：200903019758284652
不揮発性半導体記憶装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992229886
Publication number (International publication number)：1994077498
Application date： Aug. 28, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 1つのメモリセルに複数ビットの情報を記憶させることができ、メモリ容量の増大及び高集積化をはかり得るEEPROMを提供すること。【構成】 シリコン基板30上に浮遊ゲート34と制御ゲート36が積層形成され、浮遊ゲート34と基板30間の電荷の授受により電気的書替えが行われるメモリセルMを4個直列接続してNAND型のメモリセルユニットを形成し、このメモリセルユニットをマトリックス配置したEEPROMにおいて、メモリセルMの浮遊ゲート34をチャネル長方向に2分割し、1個のメモリセルMに2ビットの情報を記憶させることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に浮遊ゲート及び制御ゲートを積層形成し、浮遊ゲートへの電荷の授受により書込み・消去を行うメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセルの浮遊ゲートがチャネル長方向に分割されてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
Cited by examiner (8)
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