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J-GLOBAL ID：200903019759947523
多結晶半導体薄膜の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993033739
Publication number (International publication number)：1994252048
Application date： Feb. 23, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：
【要約】【目的】 非晶質半導体薄膜の各部におけるレーザビームの重複量を等しくすることにより、該非晶質半導体薄膜全体を均一に多結晶化することができる多結晶半導体薄膜の製造方法を提供する。【構成】 基板上に設けられた非晶質半導体薄膜6に、照射方向の断面形状が六角形のパルスエネルギービームl2を照射し、該パルスエネルギービームl2を前記六角形の所定の辺の配列方向に所定の面積を重複させつつ走査することを特徴とする。また、前記パルスエネルギービームの照射方向の断面形状を菱形とし、パルスエネルギービームを、前記菱形の対角線方向に所定の面積を重複させつつ走査することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に設けられた非晶質半導体薄膜にパルスエネルギービームを照射し、このパルスエネルギービームを前記非晶質半導体薄膜の面方向に走査することにより、該非晶質半導体薄膜を多結晶化する多結晶半導体薄膜の製造方法において、前記パルスエネルギービームの照射方向の断面形状を六角形とし、該パルスエネルギービームを、前記六角形の所定の辺の配列方向に所定の面積を重複させつつ走査することを特徴とする多結晶半導体薄膜の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/20
, C30B 28/12
, C30B 29/06 504
, C30B 30/00
