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J-GLOBAL ID：200903019772706080

半導体集積回路の配線構造体の製造方法

Inventor： 小野 秀昭 ,  中野 正
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小杉 佳男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993107139
Publication number (International publication number)：1994318595
Application date： May. 10, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】Cu配線を用いた場合に、絶縁膜や基板への配線材料のCuの拡散を防止すると共に配線全体の電気抵抗が上昇することを抑制する半導体集積回路の配線構造体の製造方法を提供する。【構成】Si基板10の表面に4000Åの絶縁膜12を形成する。この絶縁膜12の全表面に、膜厚200ÅのW膜14を形成する。さらにこのW膜14の表面に、イオンエネルギー10keV、ドーズ量2×1017atom/cm2 の窒素イオンを注入し、このW膜14の表面に約100Åの窒化タングステン膜16を形成する。この窒化タングステン膜16の表面にCu膜18を5000Å形成した。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路の配線構造体の製造方法において、絶縁膜の上に金属バリア膜を形成し、該金属バリア膜の表面に、B、N、及びCから選ばれた1種をイオン注入し、イオン注入された前記金属バリア膜の上に配線を形成することを特徴とする半導体集積回路の配線構造体の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 M