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J-GLOBAL ID:200903019772786180
炭化珪素単結晶の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 西山 雅也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003394083
Publication number (International publication number):2005154190
Application date: Nov. 25, 2003
Publication date: Jun. 16, 2005
Summary:
【課題】 高品質な炭化珪素単結晶を高速かつ安定して連続的に成長させることができ、バルク単結晶の大径化にも薄膜単結晶の高品質化にも対応できる、炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 下から順に、炭化珪素原料棒と、溶媒と、種結晶と、該種結晶を下端に支持した支持棒とを積層して上記柱状ワークを構成して、該原料棒の下端を該柱状ワークの下端として加熱すると共に該支持棒の上端を該柱状ワークの上端として冷却することにより、上記溶媒の下端面に対して上端面が低温になるように上記柱状ワーク内に温度勾配を形成し、上記種結晶を起点として下方へ連続的に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、上記柱状ワークの外周を密着して取り巻く内筒サセプタを用いることを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
柱状ワークにその長手方向の温度勾配を付与する温度勾配炉を用いて溶液からの析出により炭化珪素単結晶を製造する方法であって、
上記温度勾配炉として、上記柱状ワークの外周を取り囲む断熱壁と、加熱用サセプタを介して該柱状ワークの下端を加熱する加熱部と、冷却用サセプタを介して該柱状ワークの上端を冷却する冷却部とを備えた温度勾配炉を用い、
上記炉内に下から順に、炭化珪素から成る原料棒と、溶媒と、種結晶と、該種結晶を下端に支持した支持棒とを積層して上記柱状ワークを構成して、該原料棒の下端を該柱状ワークの下端として上記加熱部により加熱させると共に該支持棒の上端を該柱状ワークの上端として上記冷却部により冷却させることにより、上記溶媒の下端面に対して上端面が低温になるように上記柱状ワーク内に温度勾配を形成し、
上記種結晶を起点として下方へ連続的に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、
上記柱状ワークの外周を密着して取り巻く内筒サセプタを用いることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (7):
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077CC01
, 4G077EC08
, 4G077EG19
, 4G077EG25
, 4G077HA06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-072033
Applicant:株式会社日立製作所
Cited by examiner (2)
-
温度勾配炉を用いた単結晶の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-110779
Applicant:トヨタ自動車株式会社
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半導体結晶の製造方法及び製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-053758
Applicant:株式会社東芝
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