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J-GLOBAL ID：200903019774856461

熱酸化膜の形成方法

Inventor： 浅利 伸 ,  高橋 誠一 ,  三橋 哲雄 ,  太田 賀文 ,  中村 久三
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993196099
Publication number (International publication number)：1995054125
Application date： Aug. 06, 1993
Publication date： Feb. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 酸化処理工程以外の工程を微量酸素雰囲気の減圧状態とし、被処理基板の表面に極薄酸化膜を成長させ、この極薄酸化膜で被処理基板表面に高品質で安定した熱酸化膜を形成する。【構成】 被処理基板を酸化処理する炉と、該炉に接続して設けられた予備排気室から成る装置で、炉および予備排気室を減圧雰囲気にした状態で、被処理基板を予備排気室から炉内へ移動し、炉内で酸化処理して被処理基板表面に熱酸化膜を形成する方法において、酸化処理工程以外の工程を微量酸素を導入した減圧雰囲気に保った工程とした熱酸化膜の形成方法。

Claim (excerpt)：

被処理基板を酸化処理する炉と、該炉に接続して設けられた予備排気室から成る装置で、炉および予備排気室を減圧雰囲気にした状態で、被処理基板を予備排気室から炉内へ移動し、炉内で酸化処理して被処理基板表面に熱酸化膜を形成する方法において、酸化処理工程以外の工程中に微量酸素を導入した減圧雰囲気に保つ工程が含まれていることを特徴とする熱酸化膜の形成方法。

IPC (4)：

C23C 8/12 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316