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J-GLOBAL ID:200903019776295408
半導体基板の前処理方法及び赤外線検出器の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
岡本 啓三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999169113
Publication number (International publication number):2000357814
Application date: Jun. 16, 1999
Publication date: Dec. 26, 2000
Summary:
【要約】【課題】 Hgを含有する化合物半導体層中の不純物を低減し、検出効率が高い赤外線検出器の製造方法を提供する。【解決手段】 p型HgCdTe層21に対しプラズマエッチング処理を施し、p型HgCdTe層21の表層部を約2μmの厚さだけエッチングする。このとき、エッチングガスとしては、水素、アルゴン及び窒素の混合ガスを使用する。HgCdTe層21の全域にわたって存在するLi及びNa等の不純物、並びにHgCdTe層21の表面付近に存在するAg等の不純物は、プラズマエッチング時にHgCdTe層21の極めて表面に近い領域に引き寄せられ、エッチングに伴って除去される。
Claim (excerpt):
デバイス形成前の半導体層に対しプラズマエッチング処理を施し、前記半導体層中に存在する不純物を前記半導体層の表面近傍に集め、前記半導体層の表層部とともにエッチング除去することを特徴とする半導体基板の前処理方法。
IPC (3):
H01L 31/10
, H01L 21/3065
, H01L 31/0264
FI (4):
H01L 31/10 A
, H01L 21/302 F
, H01L 21/302 E
, H01L 31/08 N
F-Term (30):
5F004AA06
, 5F004AA14
, 5F004BA14
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DB00
, 5F004DB19
, 5F004EB01
, 5F004FA01
, 5F049MA02
, 5F049MB01
, 5F049NA01
, 5F049NA20
, 5F049PA02
, 5F049PA04
, 5F049PA14
, 5F049RA02
, 5F049SS02
, 5F049WA01
, 5F088AA02
, 5F088AB09
, 5F088BA01
, 5F088BA13
, 5F088CB02
, 5F088CB04
, 5F088CB14
, 5F088EA02
, 5F088GA03
, 5F088LA01
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