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J-GLOBAL ID：200903019787649716

III族窒化物系化合物半導体発光素子

Inventor： 千代 敏明 ,  柴田 直樹 ,  野杁 静代 ,  伊藤 潤 ,  浅見 慎也 ,  渡邉 大志
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999091041
Publication number (International publication number)：2000286445
Application date： Mar. 31, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【目的】 経時的に輝度の変化が少なく、且つ輝度の高いIII族窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。【構成】 サファイア基板のIII族窒化物系化合物半導体層を積層する面と反対の面上に窒化金属からなる反射層を設ける。

Claim (excerpt)：

基板の半導体層が形成される面と反対の面上に金属窒化物からなる反射層が形成されてなるIII族窒化物系化合物半導体発光素子。

F-Term (6)：

5F041AA09 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CB15