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J-GLOBAL ID：200903019789545195

MISキャパシタおよびその製造方法

Inventor： 矢野 義彦 ,  野口 隆男
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994323910
Publication number (International publication number)：1996162614
Application date： Dec. 01, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、電極/誘電体/SiのMISキャパシターにおいてC-V特性にヒステリシスがみられず良好なMIS特性を示すSiデバイス用のMISキャパシターおよびその製造方法を提供することを目的とするものである。【構成】 本発明のMISキャパシタは、Si単結晶半導体基板、およびこの半導体基板上に形成され、組成Zr1-x Rx O2-δ(ここで、RはYを含む希土類金属であり、x=0〜0.75である)の酸化物を主成分とするエピタキシャル膜である第1酸化物薄膜、およびこの第1酸化物薄膜上に形成されたCe、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、HoおよびErのうちから選択された少なくとも一種の希土類金属の酸化物を主成分とするエピタキシャル膜である第2酸化物薄膜を備えていることを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

Si単結晶半導体基板と、この半導体基板上に形成され、組成Zr<SB>1-x </SB>R<SB>x </SB>O<SB>2-</SB>δ(ここで、RはYを含む希土類金属であり、0≦x<1である)である酸化物を主成分とするエピタキシャル膜であり、少なくとも前記半導体基板に隣接する基板隣接層部分において、前記組成式のxが0〜0.75である第1酸化物薄膜と、この第1酸化物薄膜上に形成されたCe、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、HoおよびErのうちから選択された少なくとも一種の希土類金属の酸化物を主成分とするエピタキシャル膜である第2酸化物薄膜とを備えていることを特徴とするMISキャパシタ。

IPC (5)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C01G 25/00 ,  C30B 25/16 ,  H01L 29/43

FI (2)：

H01L 27/04 C ,  H01L 29/62 G