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J-GLOBAL ID：200903019800724412

半導体レーザ装置

Inventor： 有本 智 ,  西村 隆司 ,  元田 隆
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992079056
Publication number (International publication number)：1993243676
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザ装置の閾値電流密度を低減させる。【構成】 第1導電型の基板101上に第1導電型のクラッド層102,活性層103および第2導電型のクラッド層105を有し、第2導電型のクラッド層105と活性層103との間に多重量子障壁104を設け、かつ活性層103が歪の加わった層を備えた構成とした。【効果】 閾値電流が大幅に低減され、高温動作可能な高出力半導体レーザが得られる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の基板上に第1導電型のクラッド層,活性層および第2導電型のクラッド層を有する半導体レーザ装置において、上記クラッド層の少なくともいずれか一方と上記活性層との間に設けられた超格子半導体層膜からなる多重量子障壁を備え、かつ、上記活性層は、その格子定数が上記第1導電型基板の格子定数と0.1%以上異なる結晶組成を有し歪が加わった層を備えたものであることを特徴とする半導体レーザ装置。