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J-GLOBAL ID：200903019804356299

半導体作製方法および半導体装置の作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  田中 幸一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996212061
Publication number (International publication number)：1997106948
Application date： Jul. 22, 1996
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】【目的】 ガラス基板上に形成される結晶性珪素膜であって、基板面内において均一な結晶性を有せしめる。【構成】 平坦なガラス基板上に成膜された非晶質の珪素膜を、加熱により結晶化させ、前記ガラス基板を、凸曲面を有する台の上に設置し、前記ガラス基板を、該ガラス基板の歪み点付近の温度にて、所定の時間加熱し、その後徐冷する。

Claim (excerpt)：

平坦なガラス基板上に成膜された非晶質の珪素膜を、加熱により結晶化させ、前記ガラス基板を、凸曲面を有する台の上に設置し、前記ガラス基板を、該ガラス基板の歪み点付近の温度にて、所定の時間加熱し、その後徐冷することを特徴とする半導体作製方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-224317
  
• 半導体作製方法および半導体装置作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-205379   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所