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J-GLOBAL ID：200903019815293469

ドライエッチング方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991356781
Publication number (International publication number)：1993182937
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 Al系材料層のエッチングにおいて、オーバーエッチング時の異方性形状の劣化を防止する。【構成】 バリヤメタル4,Al-1%Si層5,反射防止膜6からなるAl系多層膜7(いずれも図中では添字aを付加。)を、通常の塩素系ガスを用いてジャストエッチングした後、CHF3 /CO(一酸化炭素)混合ガスを用いてプラズマ処理を行い、ウェハの全面を有機ポリマー層9で被覆する。この有機ポリマー層9は、分子中に>C=O基を含み化学的,物理的安定性、重合度等が向上しているため、ラジカル攻撃に対して優れた耐性を示す。残渣7bを除去するためのオーバーエッチングを行っても、有機ポリマー層9の側壁保護効果によりAl系配線パターン7aの異方性形状が維持される。アフターコロージョン対策としても有効である。

Claim (excerpt)：

被エッチング基板上のアルミニウム系材料層を実質的にその層厚分だけエッチングする工程と、フルオロカーボン系化合物と一酸化炭素とを含む混合ガスを用いてプラズマ処理を行うことにより被エッチング基板の全面を有機ポリマー層で被覆する工程と、オーバーエッチングを行う工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。