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J-GLOBAL ID：200903019836033645

多結晶半導体膜の製造方法

Inventor： 木山 精一
Applicant, Patent owner： 株式会社ジーティシー
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992064217
Publication number (International publication number)：1994077235
Application date： Mar. 19, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 被照射物である非晶質シリコン膜に対しレーザ光をその膜面に沿って移動しつつスポット状に照射した場合、その照射部の一部が相隣接して照射される他の照射部と重ねる場合、その重なりの部分における多結晶化の程度を向上させる。【構成】 基板の一主面に形成された半導体薄膜に対して、レーザビームをスポット状に前記主面に沿って照射し、そのスポット状の照射部の一部を相隣接する照射部と相互に重なり合わせるとともに、前記基板を300°C以上に加熱することにあり、またその半導体薄膜の膜厚を300Å〜800Åとすることにある。

Claim (excerpt)：

基板の一主面に形成された半導体薄膜に対して、レーザ光をスポット状に前記主面に沿って照射し、そのスポット状の照射部の一部を相隣接する照射部と相互に重なり合わせるとともに、前記基板を300°C以上に加熱することを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12