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J-GLOBAL ID：200903019874123348

水素ドープ非晶質半導体膜の製造方法

Inventor： 吉田 一郎 ,  吉田 一彦
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 大川 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992267331
Publication number (International publication number)：1994120152
Application date： Oct. 06, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】アモルファス半導体膜内の不安定な位置に存在する水素量を低減してその光劣化を低減し、導電率を向上する。【作用】成膜された水素ドープ非晶質半導体膜を水素プラズマによりアニールすると同時又はその前に、所定の運動エネルギを有する不活性原子,水素原子,前記アモルファス半導体膜の構成原子の少なくとも一つを前記アモルファス半導体膜の表面に衝突させて前記アモルファス半導体膜中の不安定水素濃度を低減する。すなわち、アモルファス半導体膜をスパッタすることにより、不安定位置にある水素は膜外へ容易に叩き出されたり又は水素と結合していない未結合手の位置に移動して未結合手を低減させる。また、上記スパッタにより新たに生じた未結合手はその後の又は同時の水素プラズマ処理により低減される。

Claim (excerpt)：

原料ガスを分解して基板上に水素原子がドープされたアモルファス半導体膜を堆積する堆積工程と、堆積された前記アモルファス半導体膜を水素プラズマ雰囲気に曝して前記アモルファス半導体膜の表面部の未結合手を低減する水素アニール工程とを有する水素ドープ非晶質半導体膜の製造方法において、前記水素アニール工程と同時又はその前に、所定の運動エネルギを有する不活性原子,水素原子,前記アモルファス半導体膜の構成原子の少なくとも一つを前記アモルファス半導体膜の表面に衝突させて前記アモルファス半導体膜中の不安定水素濃度を低減するスパッタリング工程を備えることを特徴とする水素ドープ非晶質半導体膜の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/324 ,  H01L 31/04