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J-GLOBAL ID：200903019877459347

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド

Inventor： 西岡 浩一 ,  光岡 勝也 ,  成重 真治 ,  福井 宏
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋本 正実
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994043480
Publication number (International publication number)：1995254115
Application date： Mar. 15, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 感度を向上するための高抵抗かつ高飽和磁束密度の横バイアス膜をもつ磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを提供すること。【構成】 磁気抵抗効果膜14への横バイアス膜として強磁性膜12と反強磁性膜13の積層膜を用い、強磁性膜12の磁化を検出電流と直交方向に向けると共に、飽和磁束密度Bsと比抵抗ρの積を[Bs・ρF≧60(T・μΩcm)]とし、反強磁性膜の比抵抗ρAFを[ρAF≧1(Ωcm)]となる膜を用いた磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。【効果】 磁気抵抗効果膜14の分流比を大きくして、高感度でバイアス特性の安定した薄膜磁気ヘッドを得ることができる。

Claim (excerpt)：

磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜に検出電流を印加させる一対の電極と、前記磁気抵抗効果膜に横方向バイアスを加える横バイアス膜とを備える磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記横バイアス膜を、比抵抗ρの大きな反強磁性膜と、飽和磁束密度Bs及び比抵抗ρが大きく且つ該反強磁性膜から交換結合バイアス磁界を受ける強磁性膜とを積層して構成したことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。