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J-GLOBAL ID：200903019880998690

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 近藤 将夫 ,  宇佐美 光雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992044304
Publication number (International publication number)：1993243545
Application date： Mar. 02, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】光素子が形成された化合物半導体層と、電子集積回路が形成されたSi基板を光素子の特性を劣化させることなしに一体化する。【構成】電子集積回路が形成されたSi基板の、上記電子集積回路が形成されていない領域に凹部を設け、この凹部内に、光素子が形成されてある島状の化合物半導体層をはめこんで固定する。【効果】化合物半導体層のクラックや歪発生が防止される。また、構造が簡単で製造も容易である。

Claim (excerpt)：

所定の電子回路が形成されたSi基板と、当該Si基板の上記電子回路が形成されていない領域に形成された凹部と、所定の半導体素子が形成され、当該凹部内に固定されたSi以外の半導体からなる半導体層を少なくとも具備し、当該半導体層は上記凹部の深さと実質的に等しい厚さを有し、上記電子回路と上記半導体素子は、所定の形状を有する導電性膜からなる配線によって互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/04 ,  H01S 3/18