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J-GLOBAL ID：200903019889687515
電界放射型素子の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995297505
Publication number (International publication number)：1996212915
Application date： Oct. 20, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：
【要約】【課題】 曲率及び頂角共に小さいエミッタ先端をもつ高性能の電界放射型素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板10の表面に低融点材料層11を形成して、これに凹部12を加工した後、低融点材料層11を加熱リフローさせて凹部11の少なくとも上部に滑らかな傾斜を与える。この基板10上に、表面に先鋭な凹部14が反映された状態で犠牲膜13を堆積する。この犠牲膜13上にエミッタ電極膜15を堆積して、先端が先鋭な微小陰極を形成し、この微小陰極をその下の不要な材料をエッチング除去して露出させる。
Claim (excerpt)：
基板の表面に形成された低融点材料層に凹部を形成する工程と、前記低融点材料層をリフローさせて前記凹部の少なくとも上部側壁に傾斜を与える工程と、前記凹部を覆うように犠牲膜を堆積する工程と、前記犠牲膜上に導電膜を堆積してエミッタを形成する工程と、前記エミッタをその下の不要な材料をエッチング除去して露出させる工程とを有することを特徴とする電界放射型素子の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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