Pat
J-GLOBAL ID:200903019901939240
固体撮像装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
前田 弘 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002055195
Publication number (International publication number):2002335455
Application date: Mar. 01, 2002
Publication date: Nov. 22, 2002
Summary:
【要約】【課題】 画素にフローティングディフュージョン(FD)型アンプを内蔵したMOS型センサの消費電力を削減する。【解決手段】 単位画素のドレイン領域(リセットトランジスタ3を介してFD部へパルス電圧を供給するための領域)を1行毎に異なるドレイン線7に接続し、1行毎に選択的に電源パルスを供給する。この電源パルスは、少なくともFD部の信号電荷をリセットする期間と、FD部の信号電荷を検出する期間とにおいてHIGHレベル電位に設定される。
Claim (excerpt):
半導体基板上に、各々入射光を光電変換するための光電変換領域と、前記光電変換で得られた信号電荷を読み出すための読み出しトランジスタと、前記読み出された信号電荷を蓄えるための蓄積領域と、前記蓄積領域の電位がゲートに加わることで前記読み出された信号電荷を検出するための検出トランジスタと、前記蓄積領域の信号電荷をリセットするためのリセットトランジスタと、前記リセットトランジスタを介して前記蓄積領域へパルス電圧を供給するためのドレイン領域とを有する複数の増幅型単位画素を二次元状に配列した固体撮像装置において、前記複数の増幅型単位画素のドレイン領域は、1行毎に異なるドレイン線に接続され、かつ、少なくとも前記蓄積領域の信号電荷をリセットする期間と、前記蓄積領域の信号電荷を検出する期間とは前記ドレイン線の電位をHIGHレベル電位に設定するように、前記ドレイン線がパルス駆動されることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2):
FI (3):
H04N 5/335 Z
, H04N 5/335 E
, H01L 27/14 A
F-Term (21):
4M118AA04
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118DB03
, 4M118DB09
, 4M118DB11
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118FA06
, 4M118FA33
, 4M118GB15
, 4M118GB17
, 5C024CY42
, 5C024GX03
, 5C024GX16
, 5C024GY38
, 5C024GY39
, 5C024GZ22
, 5C024HX40
, 5C024HX51
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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固体撮像装置及びその駆動方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-245308
Applicant:株式会社東芝
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固体撮像装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-186784
Applicant:株式会社東芝
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