Pat

J-GLOBAL ID：200903019907759456

レドックス活性電極およびその製造方法

Inventor： 小山 昇 ,  波戸崎 修 ,  岩久 正裕
Applicant, Patent owner： 小山 昇
Agent (1)： 友松 英爾 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998026628
Publication number (International publication number)：1999214009
Application date： Jan. 23, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 本発明の目的は、酸化還元可能な反応補助物質により導電性高分子化合物の酸化還元反応を促進し、これにより充放電速度等の特性が改良されたレドックス活性電極およびその製造方法を提供する点にある。【解決手段】 (A)酸化還元可能な導電性高分子化合物と(B)前記導電性高分子化合物が酸化応答と還元応答を示す電位範囲において酸化還元可能な反応補助物質とを含む組成物よりなることを特徴とするレドックス活性電極とその製造方法。

Claim (excerpt)：

(A)酸化還元可能な導電性高分子化合物と(B)前記導電性高分子化合物が酸化応答と還元応答を示す電位範囲において酸化還元可能な反応補助物質とを含む組成物よりなることを特徴とするレドックス活性電極。

IPC (3)：

H01M 4/60 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/04

FI (3)：

H01M 4/60 ,  H01M 4/02 B ,  H01M 4/04 A