Pat
J-GLOBAL ID：200903019919472608
フラッシュメモリを記憶媒体とした半導体ディスク
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
富田 和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992099891
Publication number (International publication number)：1993204561
Application date： Apr. 20, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：
【要約】【構成】ブロック単位で書換えを行なうフラッシュメモリを記憶媒体とした半導体ディスクにおいて、少なくともファイルデータを記憶するデータメモリの他に前記データメモリのエラーとなったブロックを代替する代替メモリと、データメモリのエラー情報を記憶するエラーメモリとデータメモリと代替メモリとエラーメモリの読みだし及び書き込み、消去を行なうメモリコントローラを備えた半導体ディスク。【効果】フラッシュメモリの書き込みエラーを救済できるので半導体ディスクの寿命を延ばすことができる。
Claim (excerpt)：
フラッシュメモリを記憶媒体とした半導体ディスクにおいて、上記フラッシュメモリは、データを記憶するデータメモリ領域と、上記データメモリのエラーとなった領域を代替する代替メモリ領域と、上記データメモリのうちエラーとなったデータメモリの代替メモリのアドレスをエラー情報として有するエラー領域とを有し、上記データメモリ領域と代替メモリ領域とエラーメモリ領域への読みだし及び書き込みを行うメモリコントローラを有することを特徴とする半導体ディスク。
IPC (3)：
G06F 3/08
, G11C 16/06
, G11C 29/00 301
Cited by examiner (6)
Show all
Return to Previous Page
