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J-GLOBAL ID：200903019924869710
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995336464
Publication number (International publication number)：1997102580
Application date： Dec. 25, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】 絶縁特性と放熱特性を改善した樹脂封止型半導体装置を提供する。【解決手段】 打ち抜き加工等によって回路構成された金属基板11a,11b上にパワー半導体素子12、制御用集積回路素子13等が搭載され、金属細線15により結線され、高熱伝導率の成形用の第1の樹脂16で金属基板11a,11b間および底面領域が封止固定されている。そしてパワー半導体素子12等が搭載された金属基板11a,11bは高熱伝導率の成形用の第2の樹脂17で封止され、また金属基板11a,11bの端部は外部端子18を構成している。このように金属基板11a,11bの周囲領域を高熱伝導率の成形用の第1,第2の樹脂16,17で封止することで、放熱特性が向上し、またその樹脂の厚みを増すことで、絶縁耐圧が向上した。
Claim (excerpt)：
金属板の加工によって回路構成された金属基板と、前記金属基板上に搭載された電子部品と、前記金属基板の底面領域を固定した第1の樹脂部と、少なくとも前記電子部品を搭載した金属基板の表面領域を封止した第2の樹脂部と、前記第2の樹脂部より突出して設けられた外部電極とを備えた樹脂封止型半導体装置。
IPC (4)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/29
, H01L 23/31
H01L 25/04 C
, H01L 23/30 B
