パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996094853
Publication number (International publication number)：1997260447
Application date： Mar. 25, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 COPの少ないパーティクルモニター用シリコンウエーハの生産性を向上させる。【解決手段】チョクラルスキー法により引き上げられた、結晶抵抗率がP型、0.02Ωcm以下([B]=3.32×1018atoms/cm3 以上)のシリコン単結晶からなる、パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハ、および、チョクラルスキー法により引き上げられたシリコン単結晶を切断し、鏡面研磨することによって、パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハを製造する方法において、シリコン単結晶として、結晶抵抗率がP型、0.02Ωcm以下([B]=3.32×1018atoms/cm3 以上)のものを使用することを特徴とする、パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハの製造方法。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法により引き上げられた、結晶抵抗率がP型、0.02Ωcm以下のシリコン単結晶からなる、パーティクルモニター用シリコン単結晶ウエーハ。

IPC (7)：

H01L 21/66 , C30B 15/04 , C30B 29/06 502 , G01N 1/28 , G01N 1/32 , H01L 21/02 , H01L 21/208

FI (7)：

H01L 21/66 J , C30B 15/04 , C30B 29/06 502 H , G01N 1/32 A , H01L 21/02 B , H01L 21/208 P , G01N 1/28 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

シリコン単結晶ウェーハの処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-197654 Applicant：信越半導体株式会社

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