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J-GLOBAL ID：200903019933866805

レジストパターン形成方法とそれを用いた露光装置およびそれにより作製したレジストパターンとマイクロレンズ

Inventor： 佐藤 康弘
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 磯村 雅俊 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001080817
Publication number (International publication number)：2002278079
Application date： Mar. 21, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】 精度の高い3次元形状のレジストパターンの作製を可能とする。【解決手段】 3次元形状のレジストパターンを作製する際、2枚の透過率分布を持ったフォトマスク(第1,第2のフォトレジスタ1,2)を利用して、1枚目で大体の形状をあわせ、その光を2枚目のフォトマスクに入射させて最終的な目標の強度分布に変換し、レジストに露光することで、フォトマスク上に配置できる透過率の範囲が狭い場合や、1階調あたりの透過率変化量が少ない場合でも、目標とする形状に対して最適な光強度分布を得られるようにする。

Claim (excerpt)：

透過率に分布を与えたフォトマスクを利用して、3次元形状のレジストパターンを形成するレジストパターン形成方法であって、照射された光の強度を変化させるための第1のフォトマスクと、該第1のフォトマスクを透過した光の強度を変化させるための第2のフォトマスクとを用いて、上記3次元形状のレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/20 501 ,  G02B 3/00 ,  G03F 1/08

FI (3)：

G03F 7/20 501 ,  G02B 3/00 A ,  G03F 1/08 D

F-Term (4)：

2H095BB02 ,  2H095BC09 ,  2H097AA00 ,  2H097LA17