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J-GLOBAL ID：200903019942324705
希土類元素ドープSi材料およびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
上島 淳一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996132846
Publication number (International publication number)：1997295891
Application date： Apr. 30, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：
【要約】【課題】発光効率が高く、光デバイスへの応用が可能な希土類元素ドープSi材料およびその製造方法を提供する。【解決手段】超微結晶により形成されたSi材料に、希土類元素をドープし、上記超微結晶により形成されたSi材料の可視発光と上記希土類元素の赤外および可視発光とを発現できるようにしたものである。高純度のアモルファスSi薄膜の中に希土類元素をイオン注入し、希土類元素の原子を核にして希土類元素ドープSi材料を製造したり、レーザー・アブレーションを用いて、希土類元素添加のSiターゲットから直接的に、希土類元素ドープSi材料を製造したりすることができる。
Claim (excerpt)：
超微結晶により形成されたSi材料に、希土類元素をドープし、前記超微結晶により形成されたSi材料の可視発光と前記希土類元素の赤外および可視発光とを発現できることを特徴とする希土類元素ドープSi材料。
IPC (2)：
FI (2)：
C30B 28/00
, C30B 29/06 B
