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J-GLOBAL ID:200903019943294346

半導体力学センサ装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 伊藤 洋二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994246357
Publication number (International publication number):1996110351
Application date: Oct. 12, 1994
Publication date: Apr. 30, 1996
Summary:
【要約】【目的】 制御用ICと加速度センサ間のガラスステージを廃止し、スペース的に小型化を図る。【構成】 セラミック基板1上に制御用IC2および駆動用IC3を接着剤5aにてダイマウントし、制御用IC2上の中央領域に加速度センサ4を接着剤5bによりダイマウントする。そして、ワイヤ6にて加速度センサ4と制御用IC2間を電気的に接続する。
Claim (excerpt):
力の作用により変位する変位部を有し、この変位部の変位を検出する半導体力学センサと、この半導体力学センサと電気的に接続され、前記半導体力学センサからの検出信号を電気的に処理する回路チップとを備えた半導体力学センサにおいて、前記半導体力学センサは、前記回路チップ上に、接着剤を介して搭載されていることを特徴とする半導体力学センサ装置。
IPC (2):
G01P 15/08 ,  G01L 1/22
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 加速度センサ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-007569   Applicant:株式会社東海理化電機製作所
  • 加速度センサ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-316203   Applicant:株式会社村田製作所
  • 特開平4-274005
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