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J-GLOBAL ID：200903019943756145

透明導電膜の製造方法

Inventor： 谷口 浩 ,  宇城 共子 ,  赤木 与志郎
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993228590
Publication number (International publication number)：1995090550
Application date： Sep. 14, 1993
Publication date： Apr. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電気的光学的に優れた透明導電膜の製造方法を提供する。【構成】 反応性スパッタリング法により、ガラス基板上に、酸素を過剰に混入させてスズ添加酸化インジウム透明導電膜を成膜した後、熱処理を行い(100)結晶配向性の強いスズ添加酸化インジウム透明導電膜を得る。

Claim (excerpt)：

スパッタリング法により基板上にスズ添加酸化インジウムを含む透明導電膜の製造方法において、成膜開始時に上記酸化インジウムに対し化学量論的に過剰な酸素をスパッタリングガス中に混入させ酸化インジウムの(100)結晶配向を得るように上記スズ添加酸化インジウムを成膜した後、熱処理を行うことを特徴とする透明導電膜の製造方法。

IPC (2)：

C23C 14/08 ,  C23C 14/58