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J-GLOBAL ID：200903019949485453
セルフアライン珪化物の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
廣江 武典
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997216235
Publication number (International publication number)：1998335662
Application date： Aug. 11, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：
【要約】【課題】 MOSコンポーネントのソース/ドレーン領域にイオンを拡散させる工程にて傾斜を利用して、不都合な電流リークの発生を回避させること。またコンタクトウィンドのサイズを増加させ、金属珪化物の接触抵抗と面抵抗とを低減させること。【解決手段】 分離領域24に隣接したソース/ドレーン領域27の下方に不純物拡散領域29を備えたセルフアライン珪化物を製造する方法であり、この方法は、傾斜角を有してイオン拡散させるステップを含んでいる。この手法によって、ソース/ドレーン領域の接合深度は増加し、分離領域24のエッジ部に提供された金属珪化物をソース/ドレーン接合部に過度に近接されない。分離領域24はオーバーエッチング処理され、ソース/ドレーン領域の表面は露出される。金属珪化物層31は露出されたソース/ドレーン表面に形成され、ワイドボーダーコンタクトウィンド34の形成のための面積は拡大する。
Claim (excerpt)：
セルフアライン珪化物の製造方法であって、ゲート領域と、軽ドープ領域と、分離領域とを含んだ少なくとも1領域のMOSコンポーネント領域を上部に有した基板を提供するステップと、この基板の表面に第1絶縁層を積層させるステップと、この第1絶縁層に異方性オーバーエッチング処理を施し、前記ゲート領域のそれぞれの側面にスペーサを形成させ、同時に前記分離領域の上部の一部を除去するステップと、前記スペーサと前記ゲート領域とをマスクとして使用し、前記MOSコンポーネント領域内に傾斜角を有してイオンを拡散させ、そのゲート領域の各側にて前記基板内にソース/ドレーン領域を形成させるステップと、その基板と、前記MOSコンポーネントと、前記スペーサとの表面に金属層を形成させるステップと、急速熱処理を施し、その金属層を前記ゲート領域と前記ソース/ドレーン領域の上面でシリコンと反応させ、金属珪化物層を形成させるステップと、前記金属層の非反応部分に選択的エッチング処理を施すステップと、前記基板、前記MOSコンポーネント領域、前記スペーサ、及び前記金属珪化物層の表面に第2絶縁層と誘電層とを順番に形成させるステップと、その第2絶縁層をエッチングストップとして利用し、その誘電層に対してパターン処理を施して複数のワイドボーダーコンタクトウィンドを形成させるステップと、そのワイドボーダーコンタクトウィンドを利用して前記第2絶縁層を除去し、前記金属珪化物層を露出させるステップと、を含んでいることを特徴とするセルフアライン珪化物の製造方法。
IPC (3)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/28 301
H01L 29/78 301 P
, H01L 21/28 301 S
Cited by examiner (1)
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半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-026305
Applicant：日本電気株式会社
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