再生ヘッドおよび磁気バイアスの印加方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三反崎泰司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002089170
Publication number (International publication number)：2003006821
Application date： Mar. 27, 2002
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】横方向の磁気バイアスの印加機構を有し、優れた線形応答を得ることが可能なCPP-MR型の再生ヘッドを提供する。【解決手段】縦方向の磁気バイアスを発生させるための導電スペーサ層70と、2つの強磁性層40,60の間に反強磁性スペーサ層50が挟まれた積層構成をなし、横方向の磁気バイアスを発生させるためのAPバイアス層5とを含むGMR積層体200を構成する。センス電流を付与することにより、導電スペーサ層70において発生した縦方向の磁気バイアスがフリー層90に印加されると共に、APバイアス層5において発生した横方向の磁気バイアスもフリー層90に印加される。縦方向および横方向の双方の磁気バイアスの印加下、スピンバルブ構造体55において巨大磁気抵抗効果(GMR)が生じるため、優れた線形応答が得られる。

Claim (excerpt)：

膜面直交電流による磁気抵抗効果を用いた積層構成の再生ヘッドであって、スピンバルブ構造体と、このスピンバルブ構造体に横方向の磁気バイアスを印加する横バイアス印加手段とを備えたことを特徴とする再生ヘッド。

IPC (3)：

G11B 5/39 , G01R 33/09 , H01L 43/08

FI (4)：

G11B 5/39 , H01L 43/08 B , H01L 43/08 Z , G01R 33/06 R

F-Term (5)：

2G017AA10 , 2G017AD54 , 5D034BA02 , 5D034BA04 , 5D034BA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

横バイアス膜を用いた磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-096509 Applicant：株式会社日立製作所
磁気抵抗効果素子及び磁気記録装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-374033 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-097072 Applicant：株式会社東芝

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