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J-GLOBAL ID：200903019973191711

半導体発光素子

Inventor： 小山 剛久
Applicant, Patent owner： 日本ビクター株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992314209
Publication number (International publication number)：1994151955
Application date： Oct. 29, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 反射層を含む半導体結晶層を基板上に構成し、かつこの半導体結晶層を基板上に複数個形成した半導体発光素子において、発光効率を向上させることでより均一性のある高発光出力の半導体発光素子とする。【構成】 基板2上にバッファ層3、反射層4を形成させ、その反射層4の上に第一クラッド層5、発光層6、第二クラッド層7、コンタクト層8をMOCVD法、またはMBE法等を用いて順次積層し、電極10を除いた半導体結晶境界面に膜厚d=λp /(4・n)なる反射防止膜14を形成した構造とする。このように、光出力面11にSiNよりなる反射防止膜を形成することによって、光出力面11での反射がほとんど無くなり、発光効率が向上する。

Claim (excerpt)：

発光層で発生した光をこの発光層と平行な面に形成した光出力面へ反射するための反射層を前記発光層と基板との間に形成し、かつ、前記発光層と反射層とを含む半導体結晶層を前記基板上に複数個形成した半導体発光素子において、前記半導体発光素子は、少なくとも前記光出力面上に前記半導体発光素子から出力する光の発光中心波長に最大透過率を有する反射防止膜を形成してあることを特徴とする半導体発光素子。