Pat
J-GLOBAL ID:200903019973349331

非可逆回路素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石井 陽一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998102170
Publication number (International publication number):1999283821
Application date: Mar. 30, 1998
Publication date: Oct. 15, 1999
Summary:
【要約】【課題】 小型化可能で温度特性に優れた非可逆回路素子を提供する。【解決手段】 本発明の非可逆回路素子は、磁気回転子が、(YXR1-X)3(FeYM1-Y)5+ZO12(ただし、RはCa、Bi、Gdおよび希土類元素の1種以上を表し、MはAl、V、Co、In、Zr、Sn、Ga、Mn、Si、GeおよびTiの1種以上を表す。)と表したとき、X=1〜0.2Y=1〜0.6Z=-0.005〜0.005である酸化物磁性材料を含み、 外部磁石が残留磁束密度の温度係数が-0.15%/°C以上0%/°C未満の磁石であり、 容量部がPbAZrBO3と表したとき、A/B=0.98〜1.1である酸化物を主組成とする非可逆回路素子。
Claim (excerpt):
磁気回転子が、(YXR1-X)3(FeYM1-Y)5+ZO12(ただし、RはCa、Bi、Gdおよび希土類元素の1種以上を表し、MはAl、V、Co、In、Zr、Sn、Ga、Mn、Si、GeおよびTiの1種以上を表す。)と表したとき、X=1〜0.2Y=1〜0.6Z=-0.005〜0.005である酸化物磁性材料を含み、外部磁石が残留磁束密度の温度係数が-0.15%/°C以上0%/°C未満の磁石であり、容量部がPbAZrBO3と表したとき、A/B=0.98〜1.1である酸化物を主組成とする非可逆回路素子。
IPC (3):
H01F 1/34 ,  H01P 1/36 ,  H01P 1/383
FI (3):
H01F 1/34 J ,  H01P 1/36 A ,  H01P 1/383 A

Return to Previous Page