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J-GLOBAL ID：200903019990503360

炭素または炭素を主成分とする膜

Inventor：
伊藤 健二

About 伊藤 健二


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002135983
Publication number (International publication number)：2003027237
Application date： Mar. 26, 1988
Publication date： Jan. 29, 2003
Summary：
【要約】【課題】 ダイヤモンドに近い高硬度のアモルファス状の炭素膜の密着性を高める。【解決手段】 被形成面を紫外線の照射と、紫外線により活性化された酸素、または紫外線により制裁されたオゾンにより、不要な有機物を除去し、清浄な表面に炭素膜を成膜することにより密着性を高める。さらに、プラズマCVDを用いて炭素膜を形成する場合は、被形成面に近い側では、成膜時のセルフバイアスを低くすることで密着性を高める。そして、このセルフバイアスを連続的または段階的に高めることで表面側の硬度を高め、ダイヤモンドに近いめ表面にる
Claim (excerpt)：
炭素または炭素を主成分とする非晶質な膜であり、有機物が分解除去された被形成面に設けられていることを特徴とする前記炭素または炭素を主成分とする膜。
IPC (4)：
C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 ,  G11B 5/187 ,  G11B 5/72
FI (6)：
C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 Z ,  G11B 5/187 F ,  G11B 5/187 K ,  G11B 5/187 T ,  G11B 5/72
F-Term (32)：
4G146AA05 ,  4G146AB07 ,  4G146AC23B ,  4G146AD02 ,  4G146AD20 ,  4G146AD26 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BA14 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC24 ,  4G146BC25 ,  4G146BC27 ,  4G146BC32B ,  4G146BC38B ,  4K030BA27 ,  4K030BB05 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA03 ,  4K030LA20 ,  5D006AA02 ,  5D111BB28 ,  5D111BB37 ,  5D111BB48 ,  5D111FF01 ,  5D111FF39 ,  5D111KK07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
  • 特開昭60-070178
  • 特開昭61-174376
  • 特開昭63-009104
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