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J-GLOBAL ID：200903020015467610
珪素樹脂のパターン形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992225550
Publication number (International publication number)：1994077176
Application date： Aug. 25, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 どのような有機成分を有する珪素樹脂においても、エッチング速度を落とすことなくエッチングし、クラックが入るなど珪素樹脂のパターンに変質がない所望とするパターン形状のままで、不要となったフォトレジストのパターンを残渣なく除去できるようにする。【構成】 半導体基板1上に珪素樹脂層2を形成し、その上にフォトレジスト層3からなるパターンをフォトリソグラフィにより形成し、このフォトレジスト層3をマスクとしてドライエッチングにより珪素樹脂層2をエッチングして、フォトレジスト層3の形状を転写する。このとき、反応ガスとして体積比が60%の酸素ガスとCHF3 ガスとの混合ガスを用いる。
Claim (excerpt)：
ラダー型オルガノポリシロキサンからなる珪素樹脂膜を基板上に形成する工程と、前記珪素樹脂膜上に感光性を有するフォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層を写真製版技術により所定のパターンに形成する工程と、酸素ガスとフッ素および炭素の化合物からなるガスの混合ガスを用い、この混合ガスにおける酸素ガスと前記化合物からなるガスの体積比が前記珪素樹脂膜の有機成分と無機成分の比に合わせたものを反応ガスとして用いてドライエッチングを行い、前記フォトレジストのパターンをマスクとしてそのパターンの形状を前記珪素樹脂膜に転写する工程とを含むことを特徴とする珪素樹脂のパターン形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, G03F 7/40 521
