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J-GLOBAL ID：200903020015828770
半導体微細構造の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小田 富士雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991149385
Publication number (International publication number)：1993121335
Application date： May. 23, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：
【要約】【目的】本発明は、量子細線や量子ドット等を作製することができる半導体微細構造の製造方法を提供することにある。【構成】本発明では、基板上に2つの結晶面が上面と斜面を形成するメサ構造の半導体からなる凸部を設け、この凸部の前記2つの結晶面のうちの第1の結晶面の成長速度が第2の結晶面の成長速度よりも速くなる条件で結晶成長を行うことにより前記第1の結晶面を消失させる第1の工程と、前記2つの結晶面のうちの第1の結晶面の成長速度が第2の結晶面の成長速度よりも遅くなる条件で結晶成長を行うことにより再び第1の結晶面が現れるように結晶成長を行う第2の工程とを有することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に2つの結晶面が上面と斜面を形成するメサ構造の半導体からなる凸部を設け、この凸部の前記2つの結晶面のうちの第1の結晶面の成長速度が第2の結晶面の成長速度よりも速くなる条件で結晶成長を行うことにより前記第1の結晶面を消失させる第1の工程と、前記2つの結晶面のうちの第1の結晶面の成長速度が第2の結晶面の成長速度よりも遅くなる条件で結晶成長を行うことにより再び第1の結晶面が現れるように結晶成長を行う第2の工程とを有することを特徴とする半導体微細構造の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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