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J-GLOBAL ID：200903020019097532

IGBT駆動回路

Inventor： 石井 新一
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 松崎 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997118345
Publication number (International publication number)：1998313570
Application date： May. 08, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 IGBTを高dv/dtの通常モード,低dv/dtモードと簡単に切り替えられるようにし、高周波漏れ電流の抑制を容易にする。【解決手段】 IGBT9のゲートと順バイアス電流制限用抵抗7,逆バイアス電流制限用抵抗8のコモン点との間にコンデンサ13の一方の端子を接続し、その他端をスイッチ14に接続してこれをオン/オフすることにより、IGBTゲートの充放電時定数を簡単に切り替えられるようにし、高周波漏れ電流を抑制する。

Claim (excerpt)：

順バイアス電源、逆バイアス電源、順バイアス用半導体スイッチ、逆バイアス用半導体スイッチ、順バイアス電流制限用抵抗器、逆バイアス電流制限用抵抗器を備えたIGBT駆動回路において、前記順バイアス電流制限用抵抗器と逆バイアス電流制限用抵抗器のコモン点とIGBTゲート間にコンデンサを接続し、このコンデンサの他方をモード切替え用半導体スイッチに接続し、このモード切替え用半導体スイッチの他方を前記順バイアス電源と逆バイアス電源のコモン点に接続し、前記モード切替え用半導体スイッチをオン,オフすることにより、IGBTのターンオン時とターンオフ時の各電圧変化率をそれぞれ独立に切り替え可能にしたことを特徴とするIGBT駆動回路。

IPC (3)：

H02M 1/08 301 ,  H02M 1/08 ,  H02M 1/08 351

FI (3)：

H02M 1/08 301 Z ,  H02M 1/08 Y ,  H02M 1/08 351 Z