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J-GLOBAL ID：200903020044078356
欠陥検査装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994114808
Publication number (International publication number)：1995318502
Application date： May. 27, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：
【要約】【目的】 多層の配線層が形成されている半導体基板上の特定の配線層だけの欠陥を確実に検出する。【構成】 板状の結像選択板6に所定の大きさのピンホール6aを設け、そのピンホール6aに特定の欠陥検査を行う半導体基板8の配線層の結像を通過させ、その他の焦点深度の違うピンホール6a外で結像した配線層の像を結像選択板6により遮り、選択的に特定の配線層の欠陥検査を行う。
Claim (excerpt)：
多層構造からなる被検査物を載置する載置手段と、前記載置手段に載置された前記被検査物に向けて光を照射する光源と、前記光源からの光を前記被検査物に照射する照明光学系と、前記照明光学系から前記被検査物に照射された反射光を結像させる結像光学系と、前記結像光学系により結像された前記被検査物の像を検出する検出手段と、前記検出手段から出力された検出信号に基づいて欠陥を判定する信号処理手段からなる欠陥検査装置において、前記被検査物における特定の層の結像だけを通過させる結像選択手段を設けたことを特徴とする欠陥検査装置。
IPC (4)：
G01N 21/88
, G03F 7/22
, H01L 21/027
, H01L 21/66
