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J-GLOBAL ID：200903020049456189
発光ダイオード及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994050631
Publication number (International publication number)：1995263746
Application date： Mar. 22, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：
【要約】【目的】 サイズや材料種による制限を受けず、より発光輝度の高い発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【構成】 発光ダイオード10は、n型基板12の主面、即ち光取り出し面12a及び側面12c,12c,...に沿って、n型半導体層13N及びp型半導体層13Pよりなる発光領域(発光層)13が形成された構造をしている。そして、光取り出し面12aの外周部に沿って第1のオーミック電極14Aが形成されており、一方、基板12の裏面12bに第2のオーミック電極14Bが形成されている。その製造にあたっては、半導体基板120(12)の主面120aに溝110を格子状に形成し、その上全面にn型半導体層13N及びp型半導体層13Pを順次エピタキシャル成長させ、第1の電極14A及び第2の電極14Bを形成した後、溝110に沿って基板12を割り、各素子を得る。【効果】 発光面積が大きくなり、従来よりも高い発光輝度が得られる。
Claim (excerpt)：
光取り出し面と、該光取り出し面以外の少なくとも一面に沿って、発光領域が形成されていることを特徴とする発光ダイオード。
Patent cited by the Patent：
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