高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：西義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001170197
Publication number (International publication number)：2002363222
Application date： Jun. 05, 2001
Publication date： Dec. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】新規な高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】下記一般式(1a)、(1b)及び(1c)の繰り返し単位を含有することを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1、R2、R3は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R4は酸不安定基、密着性基、水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基から選ばれた1種または複数の置換基であり、少なくとも一部に酸不安定基を含有する。R5a、R5b、R5c及びR5dは水素原子、フッ素原子、メチル基、フッ素化されたメチル基であり、かつR5a、R5bの少なくとも一方、およびR5c、R5dの少なくとも一方にトリフルオロメチル基を含有する。R6a、R6bは水素原子またはメチル基である。)

Claim (excerpt)：

下記一般式(1a)、(1b)及び(1c)の繰り返し単位を含有することを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1、R2、R3は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R4は酸不安定基、密着性基、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基から選ばれた1種または複数の置換基であり、少なくとも一部に酸不安定基を含有する。R5a、R5b、R5c及びR5dは水素原子、フッ素原子、メチル基、フッ素化されたメチル基であり、かつR5a、R5bの少なくとも一方、およびR5c、R5dの少なくとも一方にトリフルオロメチル基を含有する。R6a、R6bは水素原子、メチル基、フッ素化されたメチル基である。)

IPC (5)：

C08F212/14 , C08F220/22 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (5)：

C08F212/14 , C08F220/22 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

F-Term (46)：

2H025AA01 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J100AB07Q , 4J100AB07R , 4J100AC53Q , 4J100AC53R , 4J100AL08P , 4J100AL16P , 4J100AL26P , 4J100BA02Q , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA04Q , 4J100BA05Q , 4J100BA06Q , 4J100BA11Q , 4J100BA12Q , 4J100BA15Q , 4J100BA28Q , 4J100BA35Q , 4J100BA40Q , 4J100BB07P , 4J100BB18Q , 4J100BB18R , 4J100BC03Q , 4J100BC04Q , 4J100BC09Q , 4J100BC12P , 4J100BC12Q , 4J100BC21Q , 4J100BC52Q , 4J100BC54Q , 4J100BC58Q , 4J100CA05 , 4J100JA38

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