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J-GLOBAL ID：200903020065256483
位相シフトフォトマスク
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
韮澤 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992087073
Publication number (International publication number)：1993289306
Application date： Apr. 08, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 エッチングストッパー層としてエッチング選択性が優れ、硬度が高く、かつ、透明性も優れた材料からなる膜を用いた位相シフトフォトマスク。【構成】 少なくとも基板30とその表面に遮光パターン37を介して又は直接に設けられた酸化シリコンを主成分とする材料からなる位相シフターパターン44とからなる位相シフトフォトマスクにおいて、基板30表面にMgF2-2xOy、CaF2-2xOy 、LiF2-2xOy 、BaF2-2xOy 、La2 F6-2xOy 又はCe2 F6-2xOy からなるエッチングストッパー層31を設けることにより、位相シフターパターンをエッチングにより作成する際、この層のエッチングストッパー作用により、位相シフター用透明膜を確実に正確にエッチングすることができる。
Claim (excerpt)：
少なくとも基板とその表面に遮光パターンを介して又は直接に設けられた酸化シリコンを主成分とする材料からなる位相シフターパターンとからなる位相シフトフォトマスクにおいて、基板表面にMgF2-2xOy 、CaF2-2xOy 、LiF2-2xOy 、BaF2-2xOy 、La2 F6-2xOy 又はCe2 F6-2xOy からなる膜を備えてなることを特徴とする位相シフトフォトマスク。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
