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J-GLOBAL ID：200903020066435020

フォトマスクの製造方法

Inventor： 青山 哲
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994065951
Publication number (International publication number)：1995281411
Application date： Apr. 04, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 品質を低下させることなく反射防止膜を形成することが可能なフォトマスクの製造方法を提供する。【構成】 遮光金属膜パターン22aを形成する工程と、遮光金属膜パターン22aの表面を酸化処理して所望の厚さの反射防止膜25を形成する工程とを包含する。

Claim (excerpt)：

ガラス基板上に遮光金属膜を形成する工程と、上記遮光金属膜上に電子線レジスト膜を形成する工程と、上記電子線レジスト膜に所望のパターンで電子線を照射しレジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンを介して上記遮光金属膜をエッチングすることにより遮光金属膜パターンを形成する工程と、上記レジストパターンをエッチングにより除去する工程と、上記遮光金属膜パターンの表面を酸化処理して所望の厚さの反射防止膜を形成する工程とを包含したことを特徴とするフォトマスクの製造方法。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/31 B