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J-GLOBAL ID：200903020088113612

パターン評価装置及びパターン評価方法

Inventor： 水野 央之 ,  中杉 哲郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000305771
Publication number (International publication number)：2002116011
Application date： Oct. 05, 2000
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 レジストパターンなどの欠陥検査及びパターン計測法を基に、照射光の選択性を上げ、回折光及び散乱強度との相関を利用してエッジラフネスを容易に計測することが可能なパターン評価装置及び評価方法を提供する。【解決手段】 レジストパターンを評価する評価装置及び評価方法は、評価すべきレジストパターンが形成されている半導体基板などのウェハに対して垂直又は斜方入射可能な光3を発生する光源手段と、光ディテクタ検出手段5と、スペクトル解析手段7と、スペクトル解析の結果に基づくレジストパターンのラフネスを算出する手段とを備えている。この方法により照射光の選択性を上げ、従来の光強度からエッジラフネスを計測するのではなく、スペクトル解析による光の広がりを検出することによりレジストパターンのエッジラフネスを容易に計測することができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたレジストパターンにこの基板に対して垂直又は斜方向から入射する光を照射する手段と、前記レジストパターンから反射・散乱してくる反射光もしくは散乱光の強度を波長の大きさ毎に測定する光検出手段と、前記反射もしくは散乱光のスペクトルの広がりをスペクトル解析により測定する手段と、前記スペクトル解析の結果に基づいてレジストパターンのラフネスを算出する手段とを備えたことを特徴とするパターン評価装置。

IPC (4)：

G01B 11/24 ,  G01N 21/956 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/66

FI (4)：

G01N 21/956 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/66 J ,  G01B 11/24 Z

F-Term (52)：

2F065AA00 ,  2F065AA54 ,  2F065CC19 ,  2F065FF41 ,  2F065FF48 ,  2F065FF49 ,  2F065FF61 ,  2F065GG02 ,  2F065GG04 ,  2F065HH04 ,  2F065HH12 ,  2F065HH13 ,  2F065JJ15 ,  2F065LL02 ,  2F065LL28 ,  2F065LL30 ,  2F065LL33 ,  2F065LL34 ,  2F065LL42 ,  2F065LL46 ,  2F065LL67 ,  2F065MM03 ,  2F065MM04 ,  2F065QQ25 ,  2F065RR08 ,  2F065SS13 ,  2G051AA56 ,  2G051AB02 ,  2G051AC21 ,  2G051BA10 ,  2G051BA11 ,  2G051BB07 ,  2G051BB17 ,  2G051BB20 ,  2G051CA03 ,  2G051CC15 ,  2G051DA07 ,  2G051EB09 ,  2G051EC02 ,  2G051EC04 ,  4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106BA05 ,  4M106CA39 ,  4M106DB03 ,  4M106DB07 ,  4M106DB16 ,  4M106DJ02 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ06 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20