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J-GLOBAL ID：200903020090358614
半導体処理装置の不良解析方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999036693
Publication number (International publication number)：2000236006
Application date： Feb. 16, 1999
Publication date： Aug. 29, 2000
Summary：
【要約】【課題】微小サイズのダストの観察を容易に行え、半導体処理装置のどこの部位がダストをだすか正確に認識することが簡易に行うことを可能とする。【解決手段】本発明の半導体処理装置の不良解析方法では、所定のプロセスを行った際にこのウェハに付着しているダストを検査すると同時に略同一形状が2個所以上少なくとも1組存在する前記パタ-ンを用いてこのウェハの位置を記憶し、またこの記憶によりウェハの位置を再現し、このウェハに付着しているダストを観察することによりこの半導体処理装置の不良を解析するため、欠陥検査時のウェハの状態を欠陥観察時に正確に再現出来るため、微小サイズのダストの観察を容易に行え、半導体処理装置のどこの部位がダストをだすか正確に認識することが簡易に行うことが出来る。
Claim (excerpt)：
ウェハ表面上に略同一形状が2個所以上少なくとも1組み存在するパタ-ンを形成する第1の工程と、前記ウェハを半導体処理装置で所定のプロセスを行なう第2の工程と、前記半導体処理装置において所定のプロセスを行った際に前記ウェハの略同一形状が2個所以上少なくとも1組存在する前記パタ-ンを用いて前記ウェハの位置を記憶し、前記パターンの存在しない領域に付着しているダストを検査する第3の工程と、記憶した前記ウェハの位置を再現し、前記ウェハに付着しているダストを観察することにより前記半導体処理装置の不良を解析する第4の工程とを少なくとも備えたことを特徴とする半導体処理装置の不良解析方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/66 J
, H01L 21/02
4M106AA01
, 4M106AB20
, 4M106BA04
, 4M106CA42
, 4M106DB21
, 4M106DB30
, 4M106DJ17
, 4M106DJ18
, 4M106DJ20
, 4M106DJ21
